Name: IPB50N10S3L16ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND
Price: 79.1461 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB50N10S3L16ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB50N10S3L16ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	15,4mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 60µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4180 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	100W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB50N10

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	21,40991 Kč	21 409,91 Kč
2 000	20,30144 Kč	40 602,88 Kč

Jednotková cena bez DPH:	65,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	79,14610 Kč

IPB50N10S3L16ATMA1