Name: IPB180N04S401ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N04S401ATMA1TR-ND
Price: 91.9963 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB180N04S401ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB180N04S401ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB180N04S401ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB180N04S401ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB180N04S401ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 180A (Tc) 188W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB180N04S401ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,3mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 140µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	176 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14000 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	188W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-3
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB180

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	25,50467 Kč	25 504,67 Kč
2 000	24,89185 Kč	49 783,70 Kč

Jednotková cena bez DPH:	76,03000 Kč
Jednotková cena s DPH:	91,99630 Kč

IPB180N04S401ATMA1