Name: IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 94.259 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB175N20NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB175N20NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB175N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB175N20NM6ATMA1
Popis	IPB175N20NM6ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 9,7A (Ta), 61A (Tc) 3,8W (Ta), 203W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-U01
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,7A (Ta), 61A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V, 15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	15,5mOhm při 38A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 105µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3100 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 203W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-U01
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB