PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB123N10N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB123N10N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB123N10N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB123N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPB123N10N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB123N10N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
58A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12,3mOhm při 46A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 46µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2500 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
94W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
IPB123
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 2 122
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn. Zobrazit Náhrady.
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT)
Množství Jednotková cena Celk. cena
144,78000 Kč44,78 Kč
1028,74500 Kč287,45 Kč
10019,52400 Kč1 952,40 Kč
50015,57834 Kč7 789,17 Kč
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00014,30979 Kč14 309,79 Kč
2 00013,24299 Kč26 485,98 Kč
3 00012,69970 Kč38 099,10 Kč
5 00012,63081 Kč63 154,05 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:44,78000 Kč
Jednotková cena s DPH:54,18380 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
9 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,37000 Kč
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

12,29000 Kč
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

38,12000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,50000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,70000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,62000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

44,16000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

54,99000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,75000 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
FDB120N10

FDB120N10

MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK

onsemi

60,62000 Kč