Name: IPB100N12S305ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N12S305ATMA1TR-ND
Price: 105.4878 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB100N12S305ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB100N12S305ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB100N12S305ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB100N12S305ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB100N12S305ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-1
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	120 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,1mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 240µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11570 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-1
Pouzdro	TO-263-4, D2PAK (3 přívody + výstupek), TO-263AA
Základní číslo produktu	IPB100

Jednotková cena bez DPH:	87,18000 Kč
Jednotková cena s DPH:	105,48780 Kč

IPB100N12S305ATMA1