Name: IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND
Price: 108.2587 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGC033S10S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGC033S10S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGC033S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGC033S10S1XTMA1
Popis	MV GAN DISCRETES
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-6-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGC033S10S1XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Ta), 76A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,3mOhm při 20A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,9V při 8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-6-2
Pouzdro	6-PowerTDFN