Name: GS66508TMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66508TMRXUSA1TR-ND
Price: 523.4944 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GS66508TMRXUSA1
Číslo produktu DigiKey	448-GS66508TMRXUSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-GS66508TMRXUSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-GS66508TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	GS66508TMRXUSA1
Popis	GS66508T-MR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 30A (Tc) Montáž na povrch Razidlo
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	63mOhm při 9A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5.8 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	260 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	Razidlo
Pouzdro	Razidlo