Name: BSC160N15NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC160N15NS5SCATMA1TR-ND
Price: 95.2633 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC160N15NS5SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC160N15NS5SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC160N15NS5SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC160N15NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC160N15NS5SCATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	52 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 56A (Tc) 115W (Tc) Montáž na povrch PG-WSON-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC160N15NS5SCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	56A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 28A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,6V při 60µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1820 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	115W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WSON-8-2
Pouzdro	8-PowerWDFN