BSC080N03LSGATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 724 149
Jednotková cena : 25,47000 Kč
Katalogový list

Direct


onsemi
Skladem : 1 332
Jednotková cena : 57,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 4 882
Jednotková cena : 27,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 18 723
Jednotková cena : 32,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 168 908
Jednotková cena : 25,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 2 472
Jednotková cena : 36,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 3 380
Jednotková cena : 27,37000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 12 717
Jednotková cena : 40,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 0
Jednotková cena : 33,47000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 6 432
Jednotková cena : 30,73000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 10 723
Jednotková cena : 22,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Panjit International Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,12748 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 3 940
Jednotková cena : 27,15000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 19
Jednotková cena : 24,00000 Kč
Katalogový list
PG-TDSON-8-5
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC080N03LSGATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSC080N03LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSC080N03LSGATMA1
Popis
MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 14A (Ta), 53A (Tc) 2,5W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC080N03LSGATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1700 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-5
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.