Name: AUIRF7799L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7799L2TR-ND
Price: 222.8699 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AUIRF7799L2TR
Číslo produktu DigiKey	448-AUIRF7799L2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AUIRF7799L2TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AUIRF7799L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AUIRF7799L2TR
Popis	MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 375A (Tc) 4,3W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch DirectFET™ izometrický L8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AUIRF7799L2TR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	375A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	38mOhm při 21A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6714 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,3W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DirectFET™ izometrický L8
Pouzdro	DirectFET™ izometrický L8
Základní číslo produktu	AUIRF7799