Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 3.65462 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G2K2P10D3E
Číslo produktu DigiKey	4822-G2K2P10D3ETR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G2K2P10D3E
Popis	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (3,15x3,05)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Goford Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	210mOhm při -6A, -10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1668 pF @ -50 V
Rozptylový výkon (Max)	31W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFN (3,15x3,05)
Pouzdro	8-PowerVDFN