Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G120P06MTR-ND
Price: 14.51819 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G120P06M
Číslo produktu DigiKey	4822-G120P06MTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G120P06M
Popis	MOSFET P-CH -60V 120A TO-263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 120A (Tc) 277W Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Goford Semiconductor
Řada	TrenchFET
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,5mOhm při 20A, 10V
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	230 nC @ -10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	12215 pF @ -30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	277W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB