Name: G080N10M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080N10MTR-ND
Price: 69.2846 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G080N10M
Číslo produktu DigiKey	3141-G080N10MTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-G080N10MCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-G080N10MDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G080N10M
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Goford Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	107 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	13950 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	370W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB