Name: GD30MPS12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GD30MPS12J-TR-ND
Price: 261.3721 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GD30MPS12J-TR
Číslo produktu DigiKey	1242-GD30MPS12J-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1242-GD30MPS12J-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1242-GD30MPS12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	GeneSiC Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GD30MPS12J-TR
Popis	DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 1200 V 59A Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Řada	SiC Schottky MPS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	1200 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	59A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.8 V @ 30 A
Rychlost	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	20 µA @ 1200 V
Kapacita při Vr, F	1101pF při 1V, 1MHz
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263-7
Provozní teplota - přechod	-55°C ~ 175°C