Name: DMTH10H4M5LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND
Price: 73.8705 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH10H4M5LPSWQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH10H4M5LPSWQ-13
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4,7W (Ta), 136W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PowerDI5060-8 (typ UX)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Ta), 107A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,9mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4843 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,7W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8 (typ UX)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	DMTH10