Name: DMP56D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7BDITR-ND
Price: 10.3334 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMP56D0UFB-7B
Číslo produktu DigiKey	DMP56D0UFB-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMP56D0UFB-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMP56D0UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP56D0UFB-7B
Popis	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	50 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	200mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6Ohm při 100A, 4V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.58 nC @ 4 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	50.54 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	425mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X1-DFN1006-3
Pouzdro	3-UFDFN
Základní číslo produktu	DMP56

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 17 843

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®