Name: DMP2006UFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2006UFGQ-13TR-ND
Price: 36.7961 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMP2006UFGQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMP2006UFGQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMP2006UFGQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMP2006UFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP2006UFGQ-13
Popis	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 17,5A (Ta), 40A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17,5A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,5mOhm při 15A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max)	±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7500 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	POWERDI3333-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMP2006