Name: DMN2028USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2028USS-13DITR-ND
Price: 10.0793 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2028USS-13
Číslo produktu DigiKey	DMN2028USS-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN2028USS-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN2028USS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2028USS-13
Popis	MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 7,3A (Ta) 1,56W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN2028USS-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 9,4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1000 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,56W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	DMN2028