Name: DMN10H220LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN10H220LFDF-13TR-ND
Price: 2.21856 CZK
Availability: OutOfStock

DMN10H220LFDF-13 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 10,31000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN10H220LFDF-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMN10H220LFDF-13TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN10H220LFDF-13
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 2,2A (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	225mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	384 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,1W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (Typ F)
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	DMN10

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání

Skladové zásoby výrobce: 50 000

Zkontrolovat dodací lhůtu

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)