Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 23.9459 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BS107PSTZ
Číslo produktu DigiKey	BS107PSTZDICT-ND - Řezaná páska (CT) BS107PSTZTB-ND - Páska a krabice (TB)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	BS107PSTZ
Popis	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Průchozí otvor E-linka (TO-92 kompatibilní)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Řezaná páska (CT) Páska a krabice (TB)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,6V, 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	30Ohm při 100mA, 5V
Vgs(th) (max) při Id	-
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	85 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	E-linka (TO-92 kompatibilní)
Pouzdro	E-linka-3
Základní číslo produktu	BS107