Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Výsledky : 4

Filtry

Nad sebou

Posouvání

Položka hledání

Zobrazuje se

z 4

Objednací č. Mfr	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Cena	Řada	Balení	Stav produktu	Typ tranzistoru FET	Technologie	Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	Rds zap (max) při Id, Vgs	Vgs(th) (max) při Id	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	Vgs (max)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	Funkce tranzistoru FET	Rozptylový výkon (Max)	Provozní teplota	Třída	Kvalifikace	Způsob montáže	Dodávaná velikost pouzdra	Pouzdro
IRFB4110PBFXKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	1 000 Skladem	1 : 63,74000 Kč Trubice	-	Trubice	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm při 75A, 10V	4V při 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Průchozí otvor	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4110PBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Infineon Technologies	10 219 Skladem	1 : 52,49000 Kč Trubice	HEXFET®	Trubice	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm při 75A, 10V	4V při 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Průchozí otvor	TO-220AB	TO-220-3
UMWIRFB4110 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB UMW	884 Skladem	1 : 59,16000 Kč Trubice	*	Trubice	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm při 75A, 10V	4V při 250µA	-	±20V	-	-	370W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Průchozí otvor	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4110GPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Infineon Technologies	0 Skladem	Zastaralé	HEXFET®	Trubice	Zastaralé	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm při 75A, 10V	4V při 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Průchozí otvor	TO-220AB	TO-220-3

Zobrazuje se

z 4

Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Jednoduché tranzistory s efektem pole (FET) a metaloxidové polovodičové tranzistory s efektem pole (MOSFET) jsou typy tranzistorů používaných k zesilování nebo přepínání elektronických signálů.

Jednoduchý tranzistor FET pracuje na principu řízení toku elektrického proudu mezi svorkou zdroje a odtoku pomocí elektrického pole generovaného napětím přiváděným na svorku hradla. Hlavní výhoda tranzistorů FET spočívá v jejich vysoké vstupní impedanci, čímž se stávají ideálními pro použití v zesilovačích signálu a v analogových obvodech. Tyto tranzistory jsou široce využívány v různých aplikacích, jako jsou zesilovače, oscilátory a oddělovací stupně elektronických obvodů.

Tranzistory MOSFET, které jsou podtypem tranzistorů FET, jsou opatřeny svorkou hradla oddělenou od kanálu tenkou oxidovou vrstvou, díky které nabízejí vyšší výkon a stávají se vysoce účinnými. Tranzistory MOSFET lze dále rozdělit do dvou typů:

N-kanálové tranzistory MOSFET: kde primárními nosiči náboje jsou elektrony.
P-kanálové tranzistory MOSFET: kde primárními nosiči náboje jsou díry.

Tranzistory MOSFET jsou upřednostňovány v mnoha aplikacích díky jejich nízké spotřebě energie, vysokorychlostnímu spínání a schopnosti zpracovávat vysoké proudy a napětí. Mají zásadní význam v digitálních a analogových obvodech včetně napájecích zdrojů, řadičů motorů a radiofrekvenčních aplikací.

Tranzistory MOSFET pracují ve dvou režimech:

Obohacený režim: v tomto režimu je tranzistor MOSFET při nulovém napětí mezi hradlem a zdrojem normálně vypnutý. Přechod do sepnutého stavu vyžaduje kladné napětí (pro N-kanál) nebo záporné napětí (pro P-kanál) mezi hradlem a zdrojem.
Režim vyčerpání: v tomto režimu je tranzistor MOSFET při nulovém napětí mezi hradlem a zdrojem normálně zapnutý. Přivedením napětí s opačnou polaritou mezi hradlo a zdroj může dojít k jeho vypnutí.

Tranzistory MOSFET nabízejí několik výhod, jako například:

Vysoká účinnost: odebírají velmi málo energie a dokáží rychle přepínat mezi stavy, čímž se stávají vysoce účinnými pro aplikace řízení spotřeby energie.
Nízký odpor v zapnutém stavu: tyto tranzistory vykazují nízký odpor v zapnutém stavu, což minimalizuje ztráty energie a vývin tepla.
Vysoká vstupní impedance: izolovaná struktura hradla se projevuje v extrémně vysoké vstupní impedanci, čímž se tranzistory stávají ideálními pro zesilování signálů s vysokou impedancí.

Celkově platí, že jednoduché tranzistory typu FET, zejména MOSFET, jsou základní součástky moderní elektroniky známé pro svou účinnost, rychlost a všestranné využití v široké škále aplikací od zesilování signálu s nízkým výkonem až po spínání a regulaci s vysokým výkonem.