Name: SQJB70EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB70EP-T1_BE3TR-ND
Price: 35.1505 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJB70EP-T1_BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJB70EP-T1_BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJB70EP-T1_BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJB70EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJB70EP-T1_BE3
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 11,3A (Tc) 27W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,3A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	95mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	220pF při 25V
Výkon - max	27W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJB70