Name: SIZ926DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ926DT-T1-GE3TR-ND
Price: 46.3793 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ926DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIZ926DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ926DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ926DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ926DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20,2W, 40W Montáž na povrch 8-PowerPair® (6x5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,8mOhm při 5A, 10V, 2,2mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19nC při 10V, 41nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	925pF při 10V, 2150pF při 10V
Výkon - max	20,2W, 40W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PowerPair® (6x5)
Základní číslo produktu	SIZ926