Name: SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR-ND
Price: 28.5318 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ340BDT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZ340BDT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZ340BDT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZ340BDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ340BDT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 16,9A (Ta), 36A (Tc), 25,3A (Ta), 69,3A (Tc) 3,7W (Ta), 16,7W (Tc), 4,2W (Ta), 31W (Tc) Montáž na povrch 8-Power33 (3x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ340BDT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální), Schottky
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16,9A (Ta), 36A (Tc), 25,3A (Ta), 69,3A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,56mOhm při 10A, 10V, 4,31mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12,6nC při 10V, 23,5nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	550pF při 15V, 1065pF při 15V
Výkon - max	3,7W (Ta), 16,7W (Tc), 4,2W (Ta), 31W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-Power33 (3x3)
Základní číslo produktu	SIZ340