Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 39.3129 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ200DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZ200DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZ200DT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,5mOhm při 10A, 10V, 5,8mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28nC při 10V, 30nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1510pF při 15V, 1600pF při 15V
Výkon - max	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Základní číslo produktu	SIZ200