SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4946BEY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4946BEY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4946BEY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4946BEY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 6,5A 3,7W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,5A
Rds zap (max) při Id, Vgs	41mOhm při 5,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	840pF při 30V
Výkon - max	3,7W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI4946