Name: TW083U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083U65CRQTR-ND
Price: 587.092 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TW083U65C,RQ
Číslo produktu DigiKey	264-TW083U65CRQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TW083U65CRQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TW083U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TW083U65C,RQ
Popis	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 28A (Tc) 111W (Tc) Montáž na povrch TOLL
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	28A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	124mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 600µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	873 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	111W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLL
Pouzdro	8-PowerSFN