Name: SSM6L40TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L40TULFTR-ND
Price: 15.5364 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6L40TU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6L40TULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6L40TULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6L40TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6L40TU,LF
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 1,6A (Ta), 1,4A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch UF6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6L40TU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně, 4V pohon
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,6A (Ta), 1,4A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	122mOhm při 1A, 10V, 226mOhm při 1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 1mA, 2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5,1nC při 10V, 2,9nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	180pF při 15V, 120pF při 15V
Výkon - max	500mW (Ta)
Provozní teplota	150°C
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	UF6
Základní číslo produktu	SSM6L40