MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrétní polovodičové produkty

MT3S20P(TE12L,F) je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 8 540

Jednotková cena : 5,89000 Kč

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 8 825

Jednotková cena : 9,68000 Kč

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 637

Jednotková cena : 9,89000 Kč

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 16 429

Jednotková cena : 10,95000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MT3S20P(TE12L,F)
Číslo produktu DigiKey	MT3S20P(TE12LF)TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	MT3S20P(TE12L,F)
Popis	RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	VF tranzistor NPN 12V 80mA 7GHz 1,8W Montáž na povrch PW-MINI

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Bipolární RF tranzistory
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru	NPN
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	12V
Přechodový kmitočet	7GHz
Šumové číslo (typ. dB při @ f)	1,45dB při 1GHz
Zisk	16,5dB
Výkon - max	1,8W
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce	100 při 50mA, 5V
Proud kolektoru (Ic) (max)	80mA
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-243AA
Dodávaná velikost pouzdra	PW-MINI
Základní číslo produktu	MT3S20