Name: STGSH50M120D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGSH50M120DTR-ND
Price: 497.4431 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STGSH50M120D
Číslo produktu DigiKey	497-STGSH50M120DTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STGSH50M120DCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STGSH50M120DDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STGSH50M120D
Popis	IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole IGBT Polomůstkový 1200 V 69 A 536 W Montáž na povrch 9-ACEPACK SMIT
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Pole IGBT
Výrobce	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	-
Konfigurace	Polomůstkový
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	1200 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	69 A
Výkon - max	536 W
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,3V při 15V, 50A
Zbytkový proud kolektoru (max)	25 µA
Vstupní kapacita (Cies) při Vce	3152 pF @ 25 V
Vstup	Standardní
Termistor NTC	Ne
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	9-PowerSMD
Dodávaná velikost pouzdra	9-ACEPACK SMIT