Name: STGSB200M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGSB200M65DF2AG-ND
Price: 538.1112 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STGSB200M65DF2AG
Číslo produktu DigiKey	497-STGSB200M65DF2AG-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STGSB200M65DF2AG
Popis	IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT Trench Zarážka signálu 650 V 216 A 714 W Montáž na povrch 9-ACEPACK SMIT
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STGSB200M65DF2AG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT
Výrobce	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	Trench Zarážka signálu
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	650 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	216 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)	700 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,05V při 15V, 200A
Výkon - max	714 W
Spínací energie	3,82mJ (zap.), 6,97mJ (vyp.)
Typ vstupu	Standardní
Náboj hradla	554 nC
Td (zap/vyp) při 25°C	122ns/250ns
Zkušební podmínka	400V, 200A, 4,7Ohm, 15V
Doba zpětného zotavení (trr)	174.5 ns
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	9-PowerSMD
Dodávaná velikost pouzdra	9-ACEPACK SMIT
Základní číslo produktu	STGSB200