SCT040W120G3-4 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar


GeneSiC Semiconductor
Skladem : 424
Jednotková cena : 406,00000 Kč
Katalogový list
TO-247-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT040W120G3-4

Číslo produktu DigiKey
497-SCT040W120G3-4-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCT040W120G3-4
Popis
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 312W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
*
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
54mOhm při 16A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4,2V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
56 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1329 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
312W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-4
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1328,07000 Kč328,07 Kč
30201,83567 Kč6 055,07 Kč
120174,19783 Kč20 903,74 Kč
510173,13651 Kč88 299,62 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:328,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:396,96470 Kč