Name: S3M0016120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120K-ND
Price: 450.1442 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

S3M0016120K
Číslo produktu DigiKey	1655-S3M0016120K-ND
Výrobce	SMC Diode Solutions
Číslo produktu výrobce	S3M0016120K
Popis	MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 120A (Tc) 732W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SMC Diode Solutions
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	23mOhm při 75A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 30mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5251 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	732W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4
Pouzdro	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 300

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	372,02000 Kč	372,02 Kč
30	231,47700 Kč	6 944,31 Kč
120	203,62017 Kč	24 434,42 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.