Name: GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T020A120H-ND
Price: 296.4016 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GP3T020A120H
Číslo produktu DigiKey	1560-GP3T020A120H-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GP3T020A120H
Popis	GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 115A (Tc) 429W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SemiQ
Řada	QSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	115A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	25mOhm při 40A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 20mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	234 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6078 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	429W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4
Pouzdro	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	244,96000 Kč	244,96 Kč
10	170,07700 Kč	1 700,77 Kč
100	127,82950 Kč	12 782,95 Kč
500	118,47062 Kč	59 235,31 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.