Name: HP8KC7TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HP8KC7TB1TR-ND
Price: 88.3784 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

HP8KC7TB1
Číslo produktu DigiKey	846-HP8KC7TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-HP8KC7TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-HP8KC7TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HP8KC7TB1
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 13,5A (Ta), 24A (Tc) 3W (Ta), 26W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13,5A (Ta), 24A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,5mOhm při 13,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400pF při 30V
Výkon - max	3W (Ta), 26W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSOP

Jednotková cena bez DPH:	73,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:	88,37840 Kč

HP8KC7TB1