Pole MOSFET 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS6912

Číslo produktu DigiKey
2156-FDS6912-ND
Výrobce
Fairchild Semiconductor
Číslo produktu výrobce
FDS6912
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Fairchild Semiconductor
Řada
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
6A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs
28mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
10nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
740pF při 15V
Výkon - max
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 64 050
Nezrušitelné/nevratné
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Expedice proběhne přibližně za 10 dní od Rochester Electronics LLC
Bude použit samostatný poplatek za dopravu 1 915,55 Kč s paušální sazbou
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
22627,99650 Kč6 327,21 Kč
Jednotková cena bez DPH:27,99650 Kč
Jednotková cena s DPH:33,87577 Kč