Name: NVMFD6H840NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD6H840NLWFT1GTR-ND
Price: 87.8702 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

NVMFD6H840NLWFT1G
cms-digikey-product-number	488-NVMFD6H840NLWFT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFD6H840NLWFT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFD6H840NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	NVMFD6H840NLWFT1G
cms-description	MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
cms-standard-lead-time	19 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 80V 14A (Ta), 74A (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (5x6) duální praporek (SO8FL-duální)
Katalogový list	Katalogový list
cms-eda-cad-models	NVMFD6H840NLWFT1G Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Ta), 74A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 96µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2002pF při 40V
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFN (5x6) duální praporek (SO8FL-duální)
Základní číslo produktu	NVMFD6