Name: NTTFD4D1N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND
Price: 50.4086 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTTFD4D1N03P1E
Číslo produktu DigiKey	488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTTFD4D1N03P1E
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 12A (Ta), 54A (Tc) 1W (Ta), 20W (Tc) Montáž na povrch 12-WQFN (3,3 x 3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTTFD4D1N03P1E Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta), 54A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,3mOhm při 10A, 10V, 3,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15nC při 10V, 14nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1103pF při 15V, 972pF při 15V
Výkon - max	1W (Ta), 20W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	12-PowerWQFN
Dodávaná velikost pouzdra	12-WQFN (3,3 x 3,3)
Základní číslo produktu	NTTFD4