Name: NTMD6P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6P02R2GOSTR-ND
Price: 45.8711 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

NTMD6P02R2G
Číslo produktu DigiKey	NTMD6P02R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMD6P02R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMD6P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMD6P02R2G
Popis	MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 4,8A 750mW Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMD6P02R2G Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	33mOhm při 6,2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1700pF při 16V
Výkon - max	750mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	NTMD6

Jednotková cena bez DPH:	37,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:	45,87110 Kč

NTMD6P02R2G