Name: G3F60MT06L-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F60MT06L-TR-ND
Price: 220.825 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G3F60MT06L-TR
Číslo produktu DigiKey	1913-G3F60MT06L-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1913-G3F60MT06L-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1913-G3F60MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Navitas Semiconductor, Inc.
Číslo produktu výrobce	G3F60MT06L-TR
Popis	650V 55M TO-LL G3F SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 48A (Tc) 185W (Tc) Montáž na povrch TOLL
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Navitas Semiconductor, Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	48A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1322 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	185W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLL
Pouzdro	8-PowerSFN