Name: MSCSM120AM50T1AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSCSM120AM50T1AG-ND
Price: 1621.642 CZK
Availability: OutOfStock

MSCSM120AM50T1AG není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

cms-subs-available:

Parametrický ekvivalent

MSCSM120AM50CT1AG

Microchip Technology

cms-in-stock: 9

Jednotková cena : 1 558,08000 Kč

Katalogový list

cms-subs-view-and-compare

cms-photo-disclaimer

MSCSM120AM50T1AG
cms-digikey-product-number	150-MSCSM120AM50T1AG-ND
cms-manufacturer	Microchip Technology
cms-manufacturer-product-number	MSCSM120AM50T1AG
cms-description	MOSFET 2N-CH 1200V 55A
cms-standard-lead-time	27 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 55A (Tc) 245W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list
cms-eda-cad-models	MSCSM120AM50T1AG Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Microchip Technology
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N kanál (fázové rameno)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	55A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 40A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	2,7V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	137nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1 990pF při 1 000V
Výkon - max	245W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	-
Základní číslo produktu	MSCSM120

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

cms-notify-in-stock-request

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Trubice

cms-quantity	Jednotková cena	cms-ext-price
1	1 340,20000 Kč	1 340,20 Kč

cms-manufacturer-standard-package

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.