Name: IQE008N03LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 70.5672 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE008N03LM5CGSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE008N03LM5CGSCATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V Montáž na povrch PG-WHTFN-9
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE008N03LM5CGSCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	-
Provozní teplota	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	9-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WHTFN-9