Name: IPG20N06S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND
Price: 59.6046 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N06S4L11ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPG20N06S4L11ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N06S4L11ATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 20A 65W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N06S4L11ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,2mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 28µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	53nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4020pF při 25V
Výkon - max	65W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-4
Základní číslo produktu	IPG20N