Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 189.7885 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMT65R50M2HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMT65R50M2HXUMA1
Popis	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMT65R50M2HXUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™ G2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	48,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	62mOhm při 18,2A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 3,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	790 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	237W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2
Pouzdro	8-PowerSFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 2 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®