Name: IMT65R260M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R260M1HXUMA1TR-ND
Price: 101.8215 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMT65R260M1HXUMA1
cms-digikey-product-number	448-IMT65R260M1HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMT65R260M1HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMT65R260M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMT65R260M1HXUMA1
cms-description	SILICON CARBIDE MOSFET
cms-standard-lead-time	23 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	650 V Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IMT65R260M1HXUMA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	-
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	-
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	-
Vgs (max)	-
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2
Pouzdro	8-PowerSFN

Jednotková cena bez DPH:	84,15000 Kč
Jednotková cena s DPH:	101,82150 Kč

IMT65R260M1HXUMA1