Name: IMBG65R060M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R060M2HTR-ND
Price: 167.8633 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMBG65R060M2H
cms-digikey-product-number	448-IMBG65R060M2HTR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG65R060M2HCT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG65R060M2HDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMBG65R060M2H
cms-description	IMBG65R060M2H
cms-standard-lead-time	13 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 650 V 34,9A (Tc) 148W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	34,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	55mOhm při 15,4A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 3,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	669 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	148W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-12
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

cms-quantity	cms-unit-price	cms-ext-price
1 000	81,17264 Kč	81 172,64 Kč
2 000	79,46260 Kč	158 925,20 Kč

Jednotková cena bez DPH:	138,73000 Kč
Jednotková cena s DPH:	167,86330 Kč

IMBG65R060M2H