Name: IAUCN04S7N024DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N024DATMA1TR-ND
Price: 55.781 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN04S7N024DATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN04S7N024DATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN04S7N024DATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN04S7N024DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN04S7N024DATMA1
Popis	MOSFET_(20V 40V)
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 60A (Tj) 72W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-60
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN04S7N024DATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,49mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2067pF při 20V
Výkon - max	72W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-60