Name: IAUC45N04S6L063HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC45N04S6L063HATMA1TR-ND
Price: 26.9709 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUC45N04S6L063HATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUC45N04S6L063HATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUC45N04S6L063HATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUC45N04S6L063HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUC45N04S6L063HATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 45A (Tj) 41W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-57
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUC45N04S6L063HATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	45A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,3mOhm při 22A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 9µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	775pF při 25V
Výkon - max	41W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-57
Základní číslo produktu	IAUC45