Name: GS66506TMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66506TMRXUSA1TR-ND
Price: 408.0362 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GS66506TMRXUSA1
Číslo produktu DigiKey	448-GS66506TMRXUSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-GS66506TMRXUSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-GS66506TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	GS66506TMRXUSA1
Popis	GS66506T-MR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 22,5A (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 6,7A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	1,3V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.4 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	195 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	-
Pouzdro	4-SMD, Bez přívodů