Name: GS66502BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66502BMRXUSA1TR-ND
Price: 294.1389 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GS66502BMRXUSA1
Číslo produktu DigiKey	448-GS66502BMRXUSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-GS66502BMRXUSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-GS66502BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	GS66502BMRXUSA1
Popis	GS66502B-MR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 7,5A (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	260mOhm při 2,25A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 1,75mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.6 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	60 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	-
Pouzdro	3-SMD, Bez přívodů